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三星3nm良率翻至3倍！仍落后于台积电
据媒体透露，有消息人士称，三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了三倍的提高，从先前的10%至20%上升至30%至60%之间，然而，这仍然落后于竞争对手台积电。除此之外，台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片，这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。报道指出，三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面…- 2
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