三星2nm工艺弯道超车台积电专家表态：真不行

三星2nm工艺弯道超车台积电专家表态：真不行

快科技5月5日消息，对于立志要在2030年成为全球半导体市场老大的三星来说，他们在内存及闪存上的竞争力没有问题，但在逻辑芯片制造上大幅落后于台积电，特别是先进工艺，为此三星希望在5年内超越台积电。该公司高管表示，在4nm节点，三星落后台积电2年时间，3nm节点大约落后1年，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，后者对他们的GAA晶体管技术很满意，几乎所有大公司都在与三星合作。但是三星5年赶超台积电…
数码硬件
- 4
- 0
盒子君1 年前

解锁会员权限

个人中心

购物车

优惠劵

今日签到

私信列表

搜索

在线咨询