三星C-die：续写传奇，或是“电子垃圾”？

说到业界知名的存储品牌，“三星电子”或许是爱好者脑海中浮现的第一个名字：凭借DDR4世代的出色表现，三星内存的品质深入人心。

三星Cdie并不是最近才上市的冷门颗粒，但台风软件的识别结果仍然值得一提：意料之外，情理之中，依靠SPD数据进行“合理猜测”的它，又一次将“Cdie”识别为了“Bdie”。望着“Boltzmann/20nm”的鉴别结果，实在令人哭笑不得。

事实上，作为昔日传奇的换代产品，三星Cdie使用了更新的光刻工艺，这也是其最大的亮点：以著名数学家布莱斯•帕斯卡为名的第一代10nm节点（1x/18nm），便在这款内存上迎来首秀。

更为先进的工艺技术，自然有希望带来更优秀的综合表现。然而，也正由于新一代制程的设计难度，三星在其中饱尝良率之苦。

在这项工艺走向量产的2017年，正是DRAM颗粒供不应求的高峰。良率问题使其变本加厉，更为Cdie的表现蒙上了一层阴影。

三星在制程中遭遇的困难，也能从Cdie这奇特的性能中窥见一斑——与诸多玩家们的“经验”恰恰相反，Cdie颗粒的超频能力，并不会随着电压的增加而稳步提升！

为了达到更高的频率，“增加电压”往往是爱好者们惯用的做法。DDR4的JEDEC标准电压为1.2V——而1.35V通常是XMP产品的标配。为了向更高的极限发起冲击，1.4V乃至超过1.5V的内存电压，已是玩家们心照不宣的秘籍。

（一套电压高达1.6V的三星Bdie内存，图自NGA。据作者所述，这套内存已稳定运行了2年）

在20nm制程的三星Bdie中，“高耐压值”是资深玩家交口称赞的特点。这款颗粒能在高达1.6V的数值下稳定工作，甚至能承受短时间1.8V的惊人电压！其工作频率也随之不断攀升，近5Ghz的性能无不使发烧友们疯狂。

遗憾的是，换用18nm工艺后，三星Cdie没能继承这些优势——它的电压收益早在1.3V便宣告截止。倘若继续加压，内存的性能不升反降。

增加电压的后果，便是不断报错

1.4V电压对提高上限毫无帮助。而当数值达到1.5V时，它甚至无法在3400Mhz CL24的参数下稳定工作！

维持在1.35V的标准电压，三星Cdie的表现差强人意：在单条16GB的双面内存上，它最终取得了3733Mhz的极限超频成绩，但此时不能通过TM5 ABOSLUT稳定性测试的考验。时序则是CL=18T，tRCD=22T，tRFC=600T。

即便牺牲了稳定性，这依然与前代产品B-die的表现相去甚远——后者可以轻松耐受1.5V电压，并能达成CL=14，tRFC＜400T的惊人参数。

而若继续拉高频率，越过“锐龙”处理器的分频节点，三星Cdie也逐渐不堪重负。在频率达到3800Mhz时拒绝启动，这套内存的上限止步于此。

是的，更低的电压意味着更低的功耗，更少的发热或许是18nm制程的优势。但玩家们只会记住性能的强者，三星Cdie注定将消失在人们的记忆中。

使用Cdie的内存产品？

得益于“三星”品牌的号召力，除却海盗船“复仇者”LPX入门产品线外，它还被广泛应用在诸多内存当中。

3200C16时序的芝奇“皇家戟”/“幻光戟”内存，便有概率采用了这款颗粒。通过序列号中的“10C”字样，玩家可以将其辨别出来。

金士顿HyperX“骇客神条”内存——现已更名为“FURY”系列——也曾混用了此款颗粒。XMP参数为3200Mhz CL16 .1.35V，已然没有太多超频空间。

除此以外，它还被广泛配备在OEM领域：不少笔记本原装内存，正使用了三星C-Die。颗粒丝印上的“5WC”字样，便是最好的证明。

后记

总体来看，三星Cdie没能延续前辈的威名：奇特的电压缩放特性，令Cdie冲击高频的梦想化作泡影；良率问题困扰着三星，也多少影响了颗粒的时序压制能力。

在一些品牌的宣传中，总试图将“三星颗粒”与“顶尖性能”混为一谈。但从测试中也不难看出，不同的三星产品间相去甚远。对内存而言，“制程先进”并不总是意味着“性能强大”。

凭借Bdie颗粒一战成名，可是谁能料到，这也竟是三星性能的巅峰——整个世代的后继者们，再也没能延续Bdie的传奇。第四世代尾声之时，三星引以为傲的超频纪录易主；DDR5来临之际，这家品牌的产品更已不复过去的辉煌。

（DDR4超频记录为7200Mhz，现由海力士DJR颗粒保持）

尽管凭借此前的积累，暂时还能维持王者的名号，但那“业界领先”的地位，已然受到前所未有的挑战。在行业技术的变革之中，属于“三星存储”的时代，是否已成过去式了呢？