Blackwell架构的RTX 50系列显卡预计在2025年登场，根据靠谱曝料者kopite7kimi的最新说法，其制造工艺将升级为台积电3nm。
目前唯一使用3nm工艺的就是苹果A17 Pro，不过还是第一代N3。目前还不清楚NVIDIA会使用哪个版本，大概率还是定制版。
相比RTX 40系列现在使用的台积电4N 5nm工艺相比，据说NVIDIA使用的3nm可在同等功耗下降性能提升最多15％，或者在同等性能下将功耗降低最多30％，最关键的是核心面积可以减少大约42％！
RTX 4090使用的AD102核心面积为609平方毫米，相比于三星8nm工艺的RTX 3090 Ti GA102 628平方毫米几乎不变，而换上台积电3nm之后，即便晶体管再次大大增加，面积也能缩小很多，对于降低成本、提高良率至关重要。
另外，RTX 50系列还有望升级到DisplayPort 2.1接口规范，相比现在的1.4版本实现一次飞跃，也可以追上AMD RX 7000系列。
DP 1.4仅支持HBR 3，四通道下有效带宽仅为25.9Gbps。
DP 2.0则升级到了HBR 13.5，有效带宽高达52.2Gbps，完全可以满足16K超高分辨率输出的需求。
虽然绝大多数普通人根本用不到如此带宽，但对于顶级玩家、专业设计师来说将不存在任何限制。
此外，RTX 50系列有望引入PCIe 5.0，成为摩尔线程MTT S系列之后第二款PCIe 5.0显卡。
公版供电接口将继续使用16针，但可能会更新为12V-2×6版本，比现在的12VHPWR更可靠，高功率下也不容易烧毁。
当然了，RTX 50系列还会升级到GDDR7显存。
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