近日据外媒报道称，英伟达RTX 50系列显卡所采用的GB200系列GPU将采用台积电3nm工艺。
从曝光的最新细节看，代号为GB202的旗舰产品RTX 5090的CUDA内核增加50%，总数达到24576个。这比基于图灵的RTX
2080的内核多出8倍多。
此外，旗舰新卡的内存带宽也将通过使用32Gbps GDDR7提升52%，高于当前RTX 4090的GDDR6X。
时钟速度预计将提高15%，这是最大的升级之一。这将使RTX 5090的频率提升到2.9GHz，在游戏工作负载中轻松超过3GHz。现有RTX 4090的最高频率为2.52GHz。
为了进一步提升性能，NVIDIA计划将二级缓存增加两倍，达到 128MB，远远超过AMD RX 7900 XTX上的
96MB。这种额外的缓存旨在最大限度地利用 GDDR7 带来的更高内存带宽。
如果NVIDIA能够实现这些雄心勃勃的目标，那么仅从规格上看，RTX 5090的性能将比RTX 4090高出70%以上。
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