英伟达RTX 50系列显卡爆料将采用台积电3nm工艺

近日，据可靠爆料人透露，英伟达正在紧锣密鼓地准备推出其新一代显卡——RTX 50系列。该系列预计将采用先进的台积电3纳米工艺，并搭载一系列新技术和特性。

首先，关于工艺方面，RTX 50系列将采用台积电3纳米工艺，这与当前RTX 40系列所采用的“TSMC 4N”工艺相比，实现了更进一步的微型化。尽管RTX 40系列的工艺没有具体说明是几纳米，但有报道称是定制的5纳米工艺。英伟达官方表示，在TSMC 4N定制工艺技术的支持下，RTX 40系列GPU实现了高达2倍的性能功耗比飞跃。而RTX 50系列的台积电3纳米工艺预计将带来更出色的性能和功耗表现。

供电方面，RTX 50系列显卡将采用改进版的12V-2×6 16pin接口，这一改进预计将提高供电效率并降低功耗。此外，据爆料人称，RTX 50旗舰显卡的公版型号将类似于之前曝光的RTX 4090 Ti，采用四槽厚、侧装PCB设计，这种设计有助于提高显卡的稳定性和散热性能。

在产品线方面，英伟达新一代用于消费显卡的“Blackwell”旗舰GPU将是GB202。据悉，GB202将支持384bit GDDR7显存，而次旗舰型号GB203预计将支持256bit GDDR7显存。这些新一代的显存技术将进一步推动显卡性能的提升。

值得注意的是，美光和三星都已经发布了GDDR7显存技术。这种技术可使单颗粒容量达到24Gb，速度可达32Gbps。搭配384bit位宽，带宽可达惊人的1536GB/s。这将为RTX 50系列显卡提供巨大的数据传输能力，从而带来前所未有的图形处理性能。

据爆料人消息，英伟达RTX 50系列的发布时间可能是2024年底或2025年。这一时间窗口将给英伟达足够的时间来完善这一系列产品，并确保其性能和稳定性达到预期水平。