联发科宣布3nm芯片成功流片 预计将于2024年量产

今日，联发科与台积电共同宣布，联发科首款采用台积电3nm制程工艺生产的天玑旗舰芯片开发进度顺利，日前已成功流片，预计将于明年量产。

对此，联发科总经理陈冠州表示：“联发科在拓展全球旗舰市场的策略上，致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品，提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力，让联发科在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现，以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户，为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”

据台积电介绍，其3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良品率。与5纳米制程技术相比，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。

联发科表示，其首款采用台积电3nm制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市。

台积电的3纳米工艺于去年底宣布正式量产，不过由于产能有限，加上台积电报价高昂，首批客户只有苹果公司，占据了台积电3纳米制程节点90%的初期订单量。根据目前的消息，苹果的3纳米芯片A17
Bionic和M3将在今年发布，其中前者将用于iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro
Max，后者则用在新款Macbook机型上。至于高通的3纳米芯片目前还没有准确消息，预计会和联发科再次展开竞争。