随着半导体制程工艺提升越来越困难，先进封装技术的重要性则愈发凸显，成为延续摩尔定律的关键。
Intel就一直在深入研究各种先进封装技术，部分已经得到广泛应用，比如EMIB、Foveros，部分已经准备就绪，比如Foveros Omni、Foveros Direct。
此前，我们也曾经对这些先进封装技术进行过深入解读。
现在，Intel通过形象的动图，诠释了几种封装技术的原理和特点。
三、Foveros Omni
下一代封装技术，可实现垂直层面上大芯片、小芯片组合的互连，并将凸点间距继续缩小到25微米。
四、Foveros Direct
使用铜与铜的混合键合，取代会影响数据传输速度的焊接，把凸点间距继续缩小到10微米以下，从而大幅提高芯片互连密度和带宽，并降低电阻。
Foveros Direct还实现了功能单元的分区，使得模块化设计配置灵活、可定制。
2021年底，Intel还展示了最新的混合键合(hybrid bonding)，将互连间距继续微缩到惊人的3微米，实现了准单片式的芯片。
也就是说，整合封装后的互联密度、带宽都非常接近传统的单片式芯片，不同芯粒之间连接更加紧密。
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