1nm以下关键技术 英特尔研发2D芯片工艺

由于半导体工艺越来越复杂，摩尔定律10多年来一直被认为放缓甚至失效，10nm以下制造难度加大，未来10年还要进入1nm以下节点，迫切需要更先进的技术。

在这个领域，英特尔率先在22nm节点进入FinFET晶体管时代，在20A、18A节点上则使用了RibbonFET和PowerVia两项新技术，再往后又需要改变晶体管结构了，英特尔的目标是全新的2D TMD材料。

其中的2D指的是单层原子组成的结晶体，TMD则是过渡金属二硫化物的简称，具体包括二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）等材料，这些新材料可实现小于1nm的沟槽厚度，同时具有更好的带隙和迁移率，也就是高性能、低功耗优势。

制备2D TMD材料并不容易，为此英特尔日前宣布跟欧洲CEA-Leti达成合作协议，开发300mm晶圆上的2D TMD层转移技术，后者是这方面的专家，可提供专业的键合及层转移技术支持，便于英特尔制造出最终的硅基芯片。

这个过程可能需要很多年，英特尔的目标是2030年之后继续扩展摩尔定律，也就是进一步提升晶体管密度，提升性能，降低成本功耗等。